| SIR470DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Частка нумар | SIR470DP-T1-GE3 |
| вытворца | Vishay Siliconix |
| апісанне | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
| Даступнае колькасць | 31246 pcs new original in stock. Запыт малюнка і цытаты |
| Мадэль ECAD | |
| лісткі | 1.SIR470DP-T1-GE3.pdf2.SIR470DP-T1-GE3.pdf3.SIR470DP-T1-GE3.pdf4.SIR470DP-T1-GE3.pdf |
| SIR470DP-T1-GE3 Price |
Запыт цэны і Lead Time Online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Тэхнічная інфармацыя пра SIR470DP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Вытворца Part Number | SIR470DP-T1-GE3 | катэгорыя | |
| вытворца | Vishay / Siliconix | апісанне | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
| Упакоўка / | PowerPAK® SO-8 | Даступнае колькасць | 31246 pcs |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Макс) | ±20V |
| тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) | Пастаўшчык Камплект прылад | PowerPAK® SO-8 |
| серыя | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 20A, 10V |
| Рассейваная магутнасць (макс) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | Упакоўка / | PowerPAK® SO-8 |
| Пакунак | Tape & Reel (TR) | Працоўная тэмпература | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тып ўстаноўкі | Surface Mount | Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds | 5660 pF @ 20 V |
| Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V | тып FET | N-Channel |
| FET Feature | - | Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain да крыніцы напружання (VDSS) | 40 V | Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Базавы нумар прадукту | SIR470 | ||
| спампаваць | SIR470DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Напішыце нам: Info@Ariat-Tech.com або RFQ SIR470DP-T1-GE3 Інтэрнэт.
| SIR470DP-T1-GE3 запас | Кошт SIR470DP-T1-GE3 | SIR470DP-T1-GE3 Electronics | |||
| Кампаненты SIR470DP-T1-GE3 | Інвентарызацыя SIR470DP-T1-GE3 | SIR470DP-T1-GE3 Digikey | |||
| Пастаўшчык SIR470DP-T1-GE3 | Замовіць SIR470DP-T1-GE3 Інтэрнэт | Запыт SIR470DP-T1-GE3 | |||
| Выява SIR470DP-T1-GE3 | Здымак SIR470DP-T1-GE3 | SIR470DP-T1-GE3 PDF | |||
| Ліст дадзеных SIR470DP-T1-GE3 | Загрузіце ліст дадзеных SIR470DP-T1-GE3 | Вытворца Vishay / Siliconix | |||
| Звязаныя часткі для SIR470DP-T1-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| малюнак | Частка нумар | апісанне | вытворца | атрымаць Цытата | |
 |
SIR466DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
 |
SIR472ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SIR470DP-T1-GE3 MOS | VISHAY QFN | VISHAY | ||
|
SIR470DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIR468DP-T1-GE3 MOS | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
|
SIR468DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIR4680DP-T1-GE3 | VISHAY QFN | VISHAY | ||
|
SiR472DP MOS | VISHAY DFN-856 | VISHAY | ||
 |
SIR472ADP-T1 | ||||
|
SIR472DP | SIR472DP VISHAY | VISHAY | ||
|
SIR468DP-T1-GE3 MCU | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
|
SiR470DP | VISHAY DFN56 | VISHAY | ||
|
SIR466DP-T1-GE3 MOS | VISHAY SON8 | VISHAY | ||
|
SIR472DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIR468DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIR472ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SiR468DP MOS | VISHAY DFN-856 | VISHAY | ||
|
SiR472ADP | VISHAY DFN56 | VISHAY | ||
|
SiR472DP-T1-E3 | SiR472DP-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SiR470DP-T1-E3 | SiR470DP-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
навіны
больш
Microchip Polarfire® SOC FPGA атрымаў сертыфікацыю AEC -Q100, што пацвердзіла яго надзейнасць у су...
PSOCTM 4000T-гэта першы прадукт Infineon, які прадстаўляе тэхналогію кампаніі CapSense ™ пятага...
Пастаўшчык аўтазапчастак паказаў, што распрацоўка EV на рынку Паўночнай Амерыкі с...
Infineon і Eatron пашыраюць супрацоўніцтва па кіраванні батарэямі AI (BMS) у прамысловай і с...
Нядаўна Semiconductor абвясціў пра запуск свайго першага ў рэжыме рэальнага часу, ускос...
новыя прадукты
больш
Фотаэлектрычны датчык серыі PD30 Мініяцюрныя фотаэлект...
XC112 / XR112 Ацэнка камплект для імпульснага ўзгодненага радара A111XC112 і XR112 камплект дл...
Сервапрыводы і рухавікі серыі MINAS A6 Сямейства MINAS A6 Panason...
Дошка драйвераў з ультрафіялетавым святлом Ультрафія...
Прамысловы і пашыраны тэст DDR SDRAM Прылады DDR SDRAM Insignis гар...
Адрас электроннай пошты: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДАДАЦЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Ганконг.
Паведамленне аб аўтарскім праве © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Усе правы ахоўваюцца.